Метка: nand

В прошлом месяце контрактные цены на флэш-память TLC NAND снизились на рекордные 13-17%

>>> Опубликовано - 2018/11/08 - Комментариев 0 - Просмотров 3

Метки: NAND  

В прошлом месяце контрактные цены на флэш-память TLC NAND снизились на рекордные 13-17% Одновременно с оценкой рынка памяти DRAM специалисты DRAMeXchange, подразделения аналитической компании TrendForce, подготовили еще один отчет, касающийся рынка флэш-памяти NAND. Согласно ему, контрактные цены на пластины TLC 3D NAND в октябре упали на 13-17%. Это самое крупное ежемесячное снижение цен с ноября 2017 года. Что куда более важно, тенденция по удешевлению памяти NAND, установившаяся в начале года, должна продолжиться и в обозримом будущем, причем дешеветь будет и более дорогая SLC NAND...

SK Hynix анонсировала 96-слойную флеш-память «4D NAND»

>>> Опубликовано - 2018/11/06 - Комментариев 0 - Просмотров 5

Метки: SK Hynix   NAND  

SK Hynix анонсировала 96-слойную флеш-память «4D NAND» Корейский чипмейкер SK Hynix объявил о скором начале массового производства 96-слойных микросхем флеш-памяти 3D NAND TLC, которые представители компании гордо называют «4D NAND». Ключевое отличие новых чипов от традиционной 3D NAND заключается в переносе цепи управления ячейками под сам трёхмерный массив. Справедливо отметить, что похожие технологии задействуют и другие производители этого вида памяти, включая Samsung, Intel и Micron...

Micron начала принимать заказы на NVMe-накопители Crucial P1 с памятью 3D NAND QLC

>>> Опубликовано - 2018/10/16 - Комментариев 0 - Просмотров 3

Метки: Micron   SSD   NAND  

Micron начала принимать заказы на NVMe-накопители Crucial P1 с памятью 3D NAND QLC Micron Technology пополнила ассортимент твердотельных накопителей под брендом Crucial линейкой устройств с лаконичным названием P1. Новые SSD выполнены в форм-факторе M.2 2280, используют четыре линии интерфейса PCI Express 3.0, а в их основе лежат микросхемы флеш-памяти 3D NAND с четырьмя битами на ячейку (QLC). Серия NVMe-накопителей Crucial P1 представлена тремя устройствами объёмом 500 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ...

SK Hynix готовится ввести в строй новый завод по выпуску 3D NAND

>>> Опубликовано - 2018/10/03 - Комментариев 0 - Просмотров 3

Метки: SK Hynix   NAND  

SK Hynix готовится ввести в строй новый завод по выпуску 3D NAND Череду ввода в строй новых линий по выпуску памяти 3D NAND продолжила южнокорейская компания SK Hynix. Вслед за Toshiba/WD и Intel компания SK Hynix готовится запустить новый завод M15 вблизи города Чхонджу (Cheongju). Торжественное мероприятие по вводу предприятия в строй намечено на 4 октября. Завод начнёт свою работу с выпуска передовой для SK Hynix 72-слойной 3D NAND, но уже в начале 2019 года приступит к выпуску 96-слойной 3D NAND...