Метка: nand

Micron представила серию SSD 1300 на 96-слойных чипах 3D NAND TLC

>>> Опубликовано - 2019/02/28 - Комментариев 0 - Просмотров 3

Метки: Micron   SSD   NAND  

Micron представила серию SSD 1300 на 96-слойных чипах 3D NAND TLC Micron Technology готовится к началу поставок твердотельных накопителей серии 1300. Данная линейка представлена устройствами объёмом 256 ГБ, 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ (только 2,5”), выполненными в форматах M.2 и 2,5 дюйма. SSD оборудованы интерфейсом SATA 6 Гбит/с, а в их основе лежит 96-слойная память 3D NAND TLC. Твердотельные накопители Micron 1300 обеспечивают скорости последовательного чтения и записи до 530 и 520 Мбайт/c...

Представлена линейка NVMe-накопителей Samsung 970 EVO Plus

>>> Опубликовано - 2019/01/23 - Комментариев 0 - Просмотров 2

Метки: Samsung   SSD   NAND  

Представлена линейка NVMe-накопителей Samsung 970 EVO Plus Южнокорейский гигант Samsung Electronics объявил о выходе серии NVMe-накопителей 970 EVO Plus, в которую вошли модели объёмом 250 ГБ, 500 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. Главные отличия новинок от выпущенных прошлой весной устройств 970 EVO заключаются в использовании 96-слойных микросхем 3D V-NAND TLC и немного выросших показателях быстродействия. SSD линейки Samsung 970 EVO Plus выполнены в популярном форм-факторе M...

CES 2019: NVMe-накопители Kingston A2000 и KC2000

>>> Опубликовано - 2019/01/10 - Комментариев 0 - Просмотров 4

Метки: Kingston   SSD   NAND  

CES 2019: NVMe-накопители Kingston A2000 и KC2000 Американская компания Kingston Technology продолжает развивать свой ассортимент твердотельных накопителей. В обозримом будущем он пополнится устройствами линеек A2000 и KC2000, которые демонстрируются на выставке электроники CES 2019. SSD обеих серий выполнены в форм-факторе M.2 2280, используют четыре линии интерфейса PCI Express 3.0 и сочетают неназванный контроллер от Silicon Motion с 64-слойными микросхемами памяти 3D NAND TLC...

В накопителях Toshiba BG4 флэш-память и логика интегрированы в одной микросхеме

>>> Опубликовано - 2019/01/09 - Комментариев 0 - Просмотров 6

Метки: Toshiba   NAND  

В накопителях Toshiba BG4 флэш-память и логика интегрированы в одной микросхеме Toshiba Memory Corporation анонсировала новую линейку NVMe-накопителей BG4 в распаиваемом форм-факторе M.2 1620 (ширина 16 мм, длина 20 мм) и в виде карт расширения M.2 2230 (22 x 30 мм). Высота профиля для компактных вариантов Toshiba BG4 составляет 1,3 мм. Toshiba BG4 построены на базе 96-слойной памяти 3D NAND TLC и совершенно нового контролера, объединённых в единой интегральной микросхеме...

Накопители Intel Optane Memory H10 сочетают память 3D XPoint и 3D NAND QLC

>>> Опубликовано - 2019/01/09 - Комментариев 0 - Просмотров 5

Метки: Intel   SSD   NAND  

Накопители Intel Optane Memory H10 сочетают память 3D XPoint и 3D NAND QLC Корпорация Intel анонсировала линейку твердотельных накопителей Optane Memory H10, сочетающих микросхемы 3D XPoint и 3D NAND QLC. По задумке чипмейкера, использование двух видов памяти позволит частично нивелировать их недостатки, получив на выходе относительно недорогие, но в то же время «шустрые» SSD. Intel Optane Memory H10, также известные под именем Teton Glacier, выполнены в форм-факторе M...

Близится выход серии накопителей Samsung 860 QVO с памятью QLC 3D V-NAND

>>> Опубликовано - 2018/11/22 - Комментариев 0 - Просмотров 5

Метки: Samsung   NAND   SSD  

Близится выход серии накопителей Samsung 860 QVO с памятью QLC 3D V-NAND Компания Samsung Electronics в ближайшем времени выведет на рынок линейку твердотельных накопителей 860 QVO, использующих микросхемы памяти с четырьмя битами на ячейку (QLC). Напомним, что о подготовке к релизу потребительских SSD на 64-слойных чипах QLC 3D V-NAND южнокорейский гигант объявил ещё в конце лета, а на днях новинки были замечены сразу в нескольких онлайн-магазинах...
1 2 из 2  Следующая