Метка: NAND

HP представила NVMe-накопители EX900 Pro

>>> Опубликовано - 2020/05/12 - Комментариев 0 - Просмотров 6

Метки: HP   NAND   SSD  

HP представила NVMe-накопители EX900 Pro Hewlett-Packard анонсировала линейку твердотельных накопителей EX900 Pro в форм-факторе M2 2280. Они используют четыре линии интерфейса PCI Express 3.0 с версией протокола NVM Express 1.3. Устройства будут доступны в объемах от 256 ГБ до 1 ТБ. Что интересно, в маркетинговых материалах EX900 Pro отдельный акцент сделан на так называемой независимой кэш-памяти, которая призвана повысить производительность и увеличить срок службы накопителей...

Intel выпустит 144-слойную 3D NAND флэш-память к концу года

>>> Опубликовано - 2020/05/08 - Комментариев 0 - Просмотров 5

Метки: Intel   NAND  

Intel выпустит 144-слойную 3D NAND флэш-память к концу года Intel сообщила о планах развития подразделения Non-volatile Memory Solutions Group, занимающегося разработками в области энергонезависимой памяти 3D NAND и 3D XPoint. Напомним, ранее эти специалисты входили в состав совместного с Micron предприятия IMFlash Technologies, впоследствии расформированного на две отдельные группы каждой из компаний. Руководитель Intel NMSG Роб Крук рассказал, что к концу года будет отлажено производство 144-слойной флэш-памяти с возможностью конфигурации ячеек от SLC (1 бит) до QLC (4 бита)...

Yangtze Memory готовится к массовому выпуску 128-слойных чипов 3D NAND

>>> Опубликовано - 2020/04/13 - Комментариев 0 - Просмотров 8

Метки: YMTC   NAND  

Yangtze Memory готовится к массовому выпуску 128-слойных чипов 3D NAND Yangtze Memory Technologies Company (YMTC), один из главных китайских производителей флэш-памяти, продолжает сокращать отрыв от лидеров индустрии. Сегодня чипмейкер анонсировал первые для себя 128-слойные микросхемы 3D NAND с четырьмя битами на ячейку (QLC), образцы которых уже были отправлены партнёрам фирмы. Другие крупные производители 3D NAND начали переход к 100(+)-слойным микросхемам ещё в прошлом году...

Samsung анонсировала NVMe-накопители 980 Pro с интерфейсом PCI-E 4.0

>>> Опубликовано - 2020/01/08 - Комментариев 0 - Просмотров 11

Метки: Samsung   SSD   NAND   PCI-E  

Samsung анонсировала NVMe-накопители 980 Pro с интерфейсом PCI-E 4.0 Samsung Electronics готовится выйти на рынок потребительских NVMe-накопителей с интерфейсом PCI Express 4.0. На выставку CES 2020 южнокорейский гигант привёз образец терабайтного SSD серии 980 Pro, рыночный дебют которого состоится до конца зимы. Устройства этой линейки выполнены в форм-факторе M.2, задействуют четыре линии PCI-E 4.0 и будут предложены в модификациях объёмом 250 ГБ, 500 ГБ и 1 ТБ...

Intel начала поставки NVMe-накопителей SSD 665p с памятью 3D NAND QLC

>>> Опубликовано - 2019/11/26 - Комментариев 0 - Просмотров 17

Метки: Intel   NAND   QLC   SSD  

Intel начала поставки NVMe-накопителей SSD 665p с памятью 3D NAND QLC Анонсированным в сентябре NVMe-накопителям Intel SSD 665p был присвоен статус серийного продукта. В основе новинок лежат 96-слойные микросхемы памяти 3D NAND с четырьмя битами на ячейку (QLC) и контроллер Silicon Motion SM2263 с небольшим буфером DRAM, знакомый по их предшественникам. Intel SSD 665p выполнены в форм-факторе M.2 2280 и задействуют четыре линии интерфейса PCI Express 3...

Biostar M700 — NVMe-накопители начального уровня

>>> Опубликовано - 2019/11/19 - Комментариев 0 - Просмотров 16

Метки: Biostar   SSD   NAND  

Biostar M700 — NVMe-накопители начального уровня Тайваньская компания Biostar продолжает развивать ассортимент твердотельных накопителей. В ближайшее время она планирует начать поставки NVMe SSD M700 вместимостью 256 и 512 Гбайт. Новинки выполнены в форм-факторе M.2 2280, используют четыре линии интерфейса PCI Express 3.0 и относятся к решениям начального уровня. В основе NVMe-накопителей Biostar M700 лежит контроллер Silicon Motion SM2263XT без DRAM-буфера и микросхемы памяти 3D NAND TLC...
1 2 3 4 5 6 7 из 7  Следующая