Метка: NAND

CES 2019: NVMe-накопители Kingston A2000 и KC2000

>>> Опубликовано - 2019/01/10 - Комментариев 0 - Просмотров 3

Метки: Kingston   SSD   NAND  

CES 2019: NVMe-накопители Kingston A2000 и KC2000 Американская компания Kingston Technology продолжает развивать свой ассортимент твердотельных накопителей. В обозримом будущем он пополнится устройствами линеек A2000 и KC2000, которые демонстрируются на выставке электроники CES 2019. SSD обеих серий выполнены в форм-факторе M.2 2280, используют четыре линии интерфейса PCI Express 3.0 и сочетают неназванный контроллер от Silicon Motion с 64-слойными микросхемами памяти 3D NAND TLC...

В накопителях Toshiba BG4 флэш-память и логика интегрированы в одной микросхеме

>>> Опубликовано - 2019/01/09 - Комментариев 0 - Просмотров 4

Метки: Toshiba   NAND  

В накопителях Toshiba BG4 флэш-память и логика интегрированы в одной микросхеме Toshiba Memory Corporation анонсировала новую линейку NVMe-накопителей BG4 в распаиваемом форм-факторе M.2 1620 (ширина 16 мм, длина 20 мм) и в виде карт расширения M.2 2230 (22 x 30 мм). Высота профиля для компактных вариантов Toshiba BG4 составляет 1,3 мм. Toshiba BG4 построены на базе 96-слойной памяти 3D NAND TLC и совершенно нового контролера, объединённых в единой интегральной микросхеме...

Накопители Intel Optane Memory H10 сочетают память 3D XPoint и 3D NAND QLC

>>> Опубликовано - 2019/01/09 - Комментариев 0 - Просмотров 3

Метки: Intel   SSD   NAND  

Накопители Intel Optane Memory H10 сочетают память 3D XPoint и 3D NAND QLC Корпорация Intel анонсировала линейку твердотельных накопителей Optane Memory H10, сочетающих микросхемы 3D XPoint и 3D NAND QLC. По задумке чипмейкера, использование двух видов памяти позволит частично нивелировать их недостатки, получив на выходе относительно недорогие, но в то же время «шустрые» SSD. Intel Optane Memory H10, также известные под именем Teton Glacier, выполнены в форм-факторе M...

Близится выход серии накопителей Samsung 860 QVO с памятью QLC 3D V-NAND

>>> Опубликовано - 2018/11/22 - Комментариев 0 - Просмотров 4

Метки: Samsung   NAND   SSD  

Близится выход серии накопителей Samsung 860 QVO с памятью QLC 3D V-NAND Компания Samsung Electronics в ближайшем времени выведет на рынок линейку твердотельных накопителей 860 QVO, использующих микросхемы памяти с четырьмя битами на ячейку (QLC). Напомним, что о подготовке к релизу потребительских SSD на 64-слойных чипах QLC 3D V-NAND южнокорейский гигант объявил ещё в конце лета, а на днях новинки были замечены сразу в нескольких онлайн-магазинах...

В прошлом месяце контрактные цены на флэш-память TLC NAND снизились на рекордные 13-17%

>>> Опубликовано - 2018/11/08 - Комментариев 0 - Просмотров 4

Метки: NAND  

В прошлом месяце контрактные цены на флэш-память TLC NAND снизились на рекордные 13-17% Одновременно с оценкой рынка памяти DRAM специалисты DRAMeXchange, подразделения аналитической компании TrendForce, подготовили еще один отчет, касающийся рынка флэш-памяти NAND. Согласно ему, контрактные цены на пластины TLC 3D NAND в октябре упали на 13-17%. Это самое крупное ежемесячное снижение цен с ноября 2017 года. Что куда более важно, тенденция по удешевлению памяти NAND, установившаяся в начале года, должна продолжиться и в обозримом будущем, причем дешеветь будет и более дорогая SLC NAND...

SK Hynix анонсировала 96-слойную флеш-память «4D NAND»

>>> Опубликовано - 2018/11/06 - Комментариев 0 - Просмотров 6

Метки: SK Hynix   NAND  

SK Hynix анонсировала 96-слойную флеш-память «4D NAND» Корейский чипмейкер SK Hynix объявил о скором начале массового производства 96-слойных микросхем флеш-памяти 3D NAND TLC, которые представители компании гордо называют «4D NAND». Ключевое отличие новых чипов от традиционной 3D NAND заключается в переносе цепи управления ячейками под сам трёхмерный массив. Справедливо отметить, что похожие технологии задействуют и другие производители этого вида памяти, включая Samsung, Intel и Micron...
1 2 из 2  Следующая