Samsung розробляє проривну технологію пам’яті Selector-Only Memory для нової ери обчислень
У ЗМІ повідомляють, що компанія Samsung зробила великий крок вперед у розробці революційної технології пам’яті під назвою Selector-Only Memory (SOM).
Про це повідомляє TechRadar.
Завдяки передовим методам комп’ютерного моделювання, SOM об’єднує високу швидкість читання та запису, характерну для оперативної пам’яті DRAM. Вона відрізняється енергонезалежністю і можливістю стекування, що відкриває перспективи для її використання в сучасних пристроях.
Selector-Only Memory базується на архітектурі пам’яті з перехресними точками, схожій на фазову пам’ять та резистивну оперативну пам’ять (RRAM). Завдяки стековим масивам електродів, технологія забезпечує високу продуктивність. Зазвичай для адресації комірок використовують селекторні транзистори або діоди для запобігання непотрібних електричних з’єднань, але Samsung обрала новий підхід, досліджуючи матеріали, які одночасно функціонують як селектори та елементи пам’яті.
Халькогеніди як основа для енергонезалежної пам’яті
Під час розробки SOM компанія обрала халькогенідні матеріали, протестувавши понад 4 тисячі варіантів. Використання комп’ютерного моделювання Ab-initio дозволило обрати 18 перспективних матеріалів, зокрема з покращеними характеристиками дрейфу порогової напруги та оптимізацією вікна пам’яті, що є критично важливим для продуктивності SOM.
Халькогенідні системи Ge, As і Se традиційно використовуються для порогових перемикачів (OTS), але Samsung розширила цей підхід, досліджуючи матеріали з підвищеною термічною стабільністю та надійністю. Це забезпечило кращу продуктивність і ефективність пам’яті SOM, що робить її ще привабливішою для широкого спектру застосувань.
Майбутня презентація на виставці IEDM
Samsung планує представити результати своїх досліджень на Міжнародній виставці електронних пристроїв (IEDM), що відбудеться з 7 по 11 грудня в Сан-Франциско. Дослідники з компанії поділяться деталями роботи з халькогенідними матеріалами та розкажуть, як комп’ютерне моделювання допомогло в розробці SOM. Також на IEDM виступить команда IMEC, яка розгляне потенційні атомні механізми, що впливають на функціональність селекторного компонента в новій пам’яті SOM.
