Метка: SK Hynix

Невзирая на то, что оперативная память DDR5 ещё не успела найти применение ни в потребительских компьютерах, ни в серверах, в недрах южнокорейского чипмейкера SK Hynix уже ведётся работа над стандартом DDR6. Прогнозируется, что новое поколение DDR-памяти предложит скорости передачи данных на уровне 12 Гбит/с. Как рассказал газете The Korea Herald один из научных сотрудников по разработке DRAM в SK Hynix, работы над памятью DDR6 должны завершиться в течение ближайших пяти-шести лет...

Южнокорейский чипмейкер SK Hynix сообщил об успешном завершении работы над 16-гигабитными микросхемами памяти DDR5, полностью соответствующими требованиям комитета JEDEC. Для производства новых чипов используются технологии 10-нм класса, а их массовый выпуск планируется наладить в 2020 году. Скорость передачи данных у микросхем DDR5 от SK Hynix составляет 5200 Мбит/с на контакт при напряжении питания в 1,1 В...

Корейский чипмейкер SK Hynix объявил о скором начале массового производства 96-слойных микросхем флеш-памяти 3D NAND TLC, которые представители компании гордо называют «4D NAND». Ключевое отличие новых чипов от традиционной 3D NAND заключается в переносе цепи управления ячейками под сам трёхмерный массив. Справедливо отметить, что похожие технологии задействуют и другие производители этого вида памяти, включая Samsung, Intel и Micron...

Череду ввода в строй новых линий по выпуску памяти 3D NAND продолжила южнокорейская компания SK Hynix. Вслед за Toshiba/WD и Intel компания SK Hynix готовится запустить новый завод M15 вблизи города Чхонджу (Cheongju). Торжественное мероприятие по вводу предприятия в строй намечено на 4 октября. Завод начнёт свою работу с выпуска передовой для SK Hynix 72-слойной 3D NAND, но уже в начале 2019 года приступит к выпуску 96-слойной 3D NAND...