Метка: SK Hynix

SK Hynix приступила к производству 128-слойной памяти 3D NAND TLC

>>> Опубликовано - 2019/06/26 - Комментариев 0 - Просмотров 5

Метки: SK Hynix   NAND  

SK Hynix приступила к производству 128-слойной памяти 3D NAND TLC Южнокорейская фирма SK Hynix сообщила о начале коммерческого выпуска 128-слойных чипов флэш-памяти 3D NAND TLC вместимостью 1 Тбит (128 ГБ). Сама компания относит данные микросхемы к классу «4D NAND», что она объясняет переносом периферийных цепей управления под сами ячейки памяти. SK Hynix ожидает, что благодаря переходу с 96 на 128 слоёв суммарная ёмкость микросхем, «нарезаемых» с одной кремниевой пластины, увеличится на 40%...

SK hynix анонсировала новые SSD-накопители для корпоративного рынка

>>> Опубликовано - 2019/06/20 - Комментариев 0 - Просмотров 3

Метки: SK hynix  

SK hynix анонсировала новые SSD-накопители для корпоративного рынка Компания SK hynix представила новые твердотельные накопители (SSD) корпоративного класса, рассчитанные на использование в центрах обработки данных, в составе облачных платформ и пр. Изделия выполнены на основе 72-слойных чипов флеш-памяти TLC 3D NAND. Напомним, что технология TLC предполагает хранение трёх бит информации в одной ячейке...

SK Hynix приступила к разработке памяти DDR6

>>> Опубликовано - 2019/01/28 - Комментариев 0 - Просмотров 5

Метки: SK Hynix   DDR6  

SK Hynix приступила к разработке памяти DDR6 Невзирая на то, что оперативная память DDR5 ещё не успела найти применение ни в потребительских компьютерах, ни в серверах, в недрах южнокорейского чипмейкера SK Hynix уже ведётся работа над стандартом DDR6. Прогнозируется, что новое поколение DDR-памяти предложит скорости передачи данных на уровне 12 Гбит/с. Как рассказал газете The Korea Herald один из научных сотрудников по разработке DRAM в SK Hynix, работы над памятью DDR6 должны завершиться в течение ближайших пяти-шести лет...

SK Hynix разработала чипы DDR5, отвечающие спецификациям JEDEC

>>> Опубликовано - 2018/11/16 - Комментариев 0 - Просмотров 5

Метки: SK Hynix   DDR5  

SK Hynix разработала чипы DDR5, отвечающие спецификациям JEDEC Южнокорейский чипмейкер SK Hynix сообщил об успешном завершении работы над 16-гигабитными микросхемами памяти DDR5, полностью соответствующими требованиям комитета JEDEC. Для производства новых чипов используются технологии 10-нм класса, а их массовый выпуск планируется наладить в 2020 году. Скорость передачи данных у микросхем DDR5 от SK Hynix составляет 5200 Мбит/с на контакт при напряжении питания в 1,1 В...

SK Hynix анонсировала 96-слойную флеш-память «4D NAND»

>>> Опубликовано - 2018/11/06 - Комментариев 0 - Просмотров 9

Метки: SK Hynix   NAND  

SK Hynix анонсировала 96-слойную флеш-память «4D NAND» Корейский чипмейкер SK Hynix объявил о скором начале массового производства 96-слойных микросхем флеш-памяти 3D NAND TLC, которые представители компании гордо называют «4D NAND». Ключевое отличие новых чипов от традиционной 3D NAND заключается в переносе цепи управления ячейками под сам трёхмерный массив. Справедливо отметить, что похожие технологии задействуют и другие производители этого вида памяти, включая Samsung, Intel и Micron...

SK Hynix готовится ввести в строй новый завод по выпуску 3D NAND

>>> Опубликовано - 2018/10/03 - Комментариев 0 - Просмотров 10

Метки: SK Hynix   NAND  

SK Hynix готовится ввести в строй новый завод по выпуску 3D NAND Череду ввода в строй новых линий по выпуску памяти 3D NAND продолжила южнокорейская компания SK Hynix. Вслед за Toshiba/WD и Intel компания SK Hynix готовится запустить новый завод M15 вблизи города Чхонджу (Cheongju). Торжественное мероприятие по вводу предприятия в строй намечено на 4 октября. Завод начнёт свою работу с выпуска передовой для SK Hynix 72-слойной 3D NAND, но уже в начале 2019 года приступит к выпуску 96-слойной 3D NAND...