Метка: SK Hynix

SK Hynix представила NVMe-накопители PE8000 с интерфейсом PCI-E 4.0

>>> Опубликовано - 2020/04/08 - Комментариев 0 - Просмотров 7

Метки: SK Hynix   SSD  

SK Hynix представила NVMe-накопители PE8000 с интерфейсом PCI-E 4.0 SK Hynix пополнила свой ассортимент твердотельных накопителей линейкой PE8000, адресованной корпоративных заказчикам. Устройства PE8010 и PE8030 выполнены в 2,5-дюймовых форматах U.2/U.3 и являются первыми SSD южнокорейского вендора, оборудованными интерфейсом PCI Express 4.0 x4. NVMe-накопители PE8010 и PE8030 базируются на 96-слойных чипах TLC «4D NAND» и собственном контроллере SK Hynix...

SK Hynix выпустила твердотельные накопители Gold S31

>>> Опубликовано - 2019/08/16 - Комментариев 0 - Просмотров 12

Метки: SK Hynix   SSD   NAND  

SK Hynix выпустила твердотельные накопители Gold S31 Южнокорейский чипмейкер SK Hynix пополнил ассортимент SSD потребительского класса линейкой 2,5-дюймовых устройств Gold S31. Накопители оборудованы интерфейсом SATA 6 Гбит/с и будут предложены в версиях объёмом 250 ГБ, 500 ГБ и 1 ТБ. В основе новинок лежат микросхемы памяти 3D NAND (предположительно TLC) и безымянный контроллер собственной разработки SK Hynix...

SK Hynix анонсировала чипы HBM2E с рекордной пропускной способностью

>>> Опубликовано - 2019/08/12 - Комментариев 0 - Просмотров 12

Метки: SK Hynix  

SK Hynix анонсировала чипы HBM2E с рекордной пропускной способностью Компания SK Hynix сообщила об успешной разработке микросхем буферной памяти HBM2E с рекордной в отрасли пропускной способностью. Новые чипы обладают вдвое большей ёмкостью, а также увеличенной в полтора раза скоростью обмена данными относительно доступных на рынке HBM2. Микросхемы SK Hynix HBM2E состоят из восьми 16-гигабитных (2 ГБ) слоёв, связанных посредством вертикальных межкремниевых соединений through-silicon-via (TSV)...

SK Hynix приступила к производству 128-слойной памяти 3D NAND TLC

>>> Опубликовано - 2019/06/26 - Комментариев 0 - Просмотров 15

Метки: SK Hynix   NAND  

SK Hynix приступила к производству 128-слойной памяти 3D NAND TLC Южнокорейская фирма SK Hynix сообщила о начале коммерческого выпуска 128-слойных чипов флэш-памяти 3D NAND TLC вместимостью 1 Тбит (128 ГБ). Сама компания относит данные микросхемы к классу «4D NAND», что она объясняет переносом периферийных цепей управления под сами ячейки памяти. SK Hynix ожидает, что благодаря переходу с 96 на 128 слоёв суммарная ёмкость микросхем, «нарезаемых» с одной кремниевой пластины, увеличится на 40%...

SK hynix анонсировала новые SSD-накопители для корпоративного рынка

>>> Опубликовано - 2019/06/20 - Комментариев 0 - Просмотров 12

Метки: SK hynix  

SK hynix анонсировала новые SSD-накопители для корпоративного рынка Компания SK hynix представила новые твердотельные накопители (SSD) корпоративного класса, рассчитанные на использование в центрах обработки данных, в составе облачных платформ и пр. Изделия выполнены на основе 72-слойных чипов флеш-памяти TLC 3D NAND. Напомним, что технология TLC предполагает хранение трёх бит информации в одной ячейке...

SK Hynix приступила к разработке памяти DDR6

>>> Опубликовано - 2019/01/28 - Комментариев 0 - Просмотров 14

Метки: SK Hynix   DDR6  

SK Hynix приступила к разработке памяти DDR6 Невзирая на то, что оперативная память DDR5 ещё не успела найти применение ни в потребительских компьютерах, ни в серверах, в недрах южнокорейского чипмейкера SK Hynix уже ведётся работа над стандартом DDR6. Прогнозируется, что новое поколение DDR-памяти предложит скорости передачи данных на уровне 12 Гбит/с. Как рассказал газете The Korea Herald один из научных сотрудников по разработке DRAM в SK Hynix, работы над памятью DDR6 должны завершиться в течение ближайших пяти-шести лет...
1 2 из 2  Следующая