Kioxia планує випуск 3D NAND з 1000 шарами до 2027 року
На технологічній конференції в Сеулі компанія Kioxia оголосила про свої амбітні плани до 2027 року збільшити кількість шарів у мікросхемах 3D NAND до 1000, що значно перевищує сучасні досягнення. За даними PC Watch, це дозволить підвищити щільність зберігання інформації до 100 Гбіт/мм².
У 2022 році мікросхеми 3D NAND з 238 шарами вважалися передовими, а у 2014 році їх кількість становила лише 24. Таким чином, за вісім років кількість шарів збільшилася вдесятеро, і при збереженні темпів зростання, які складають 1,33 на рік, Kioxia очікує досягти позначки в 1000 шарів.
Для досягнення цієї мети, окрім збільшення кількості шарів, будуть впроваджені інші технологічні новації. Наприклад, замість полікристалічного кремнію буде використовуватися монокристалічний, а вольфрамові провідники замінять молібденовими для зниження опору та зменшення затримок.
Втім, виробничий партнер Kioxia, корпорація Western Digital, зазначає, що збільшення кількості шарів призводить до зростання капітальних витрат і зниження економічної ефективності виробництва. Це може стати стримуючим фактором для подальшого зростання кількості шарів.
Зараз Kioxia та Western Digital випускають пам’ять покоління BiCS 8 з 218 шарами, а наступні покоління BiCS 9 та BiCS 10 будуть мати 300 та 400 шарів відповідно. Однак Western Digital вважає, що економічні причини можуть уповільнити темпи розвитку технологій 3D NAND.
