Samsung анонсировала скоростную память HBM2E

>>> Опубликовано - 2019/03/20 - просмотров - 20

Метки: Samsung   HBM2E  

Samsung Electronics продолжает улучшать скоростные показатели оперативной памяти типа HBM (High Bandwidth Memory). В ходе GPU Technology Conference 2019 южнокорейский гигант представил первые микросхемы стандарта HBM2E, обладающие на треть большей пропускной способностью, нежели доступные на рынке чипы HBM2.

0-124064-samsung-hbm2e-1.jpg

Многослойная память HBM2E, которой Samsung дала имя Flashbolt, найдёт применение в самых разных областях, включая искусственный интеллект, HPC-вычисления, а также графические ускорители high-end уровня. Представленные микросхемы имеют объём 16 Гбайт, набраны восемью 16-гигабитными слоями и обладают пропускной способностью в 410 Гбайт/с (3,2 Гбит/с на контакт).

Samsung анонсировала скоростную память HBM2E

Соответственно, при использовании четырёх таких микросхем возможный преемник видеокарты AMD Radeon VII будет распологать 64-гигабайтным видеобуфером с впечатляющей пропускной способностью в 1640 Гбайт/с. Впрочем, учитывая дороговизну многослойной памяти HBM2, новые чипы Samsung HBM2E первое время будут применяться только в ускорителях машинного обучения и ресурсоёмких вычислений.

Источник www.overclockers.ua

Комментарии


code Код: