Samsung выпустила шестое поколение флэш-памяти 3D V-NAND со 136 слоями

>>> Опубликовано - 2019/08/07 - просмотров - 3

Метки: Samsung   NAND  

Корпорация Samsung Electronics отчиталась об успешном запуске в производство 136-слойных микросхем флэш-памяти TLC 3D V-NAND шестого поколения. Говорится о массовом производстве 256-гигабитных (32 ГБ) чипов.

Samsung выпустила шестое поколение флэш-памяти 3D V-NAND со 136 слоями

Также до конца этого года с конвейера начнут сходить чипы объёмом 512 Гбит (64 Гбайт). К слову, первыми потребительскими устройствами на базе флэш-памяти шестого поколения станут твердотельные накопители Samsung объёмом в 250 ГБ.

Samsung выпустила шестое поколение флэш-памяти 3D V-NAND со 136 слоями

С новым 136-слойным дизайном V-NAND, корейский гигант предлагает на 40% больше ячеек, чем в 96-слойной памяти пятого поколения. Кроме того, инженеры Samsung обещают сокращенные на 10% задержки чтения и записи (45 мкс и 450 мкс соответственно) и сниженное на 15% энергопотребление.

Благодаря уникальной технологии «травления каналов» для создания чипа плотностью 256 Гбит нового поколения необходимо всего 670 млн сквозных каналов, по сравнению с 930 млн в решениях предыдущего поколения. Это позволило уменьшить размер чипов и сократить число этапов производства, повысив эффективность изготовления на 20% и тем самым снизить производственные затраты.

Источник www.overclockers.ua

Комментарии


code Код: