Накопители

Samsung выпустила шестое поколение флэш-памяти 3D V-NAND со 136 слоями

>>> Опубликовано - 2019/08/07 - Комментариев 0 - Просмотров 3

Метки: Samsung   NAND  

Samsung выпустила шестое поколение флэш-памяти 3D V-NAND со 136 слоями Корпорация Samsung Electronics отчиталась об успешном запуске в производство 136-слойных микросхем флэш-памяти TLC 3D V-NAND шестого поколения. Говорится о массовом производстве 256-гигабитных (32 ГБ) чипов. Также до конца этого года с конвейера начнут сходить чипы объёмом 512 Гбит (64 Гбайт). К слову, первыми потребительскими устройствами на базе флэш-памяти шестого поколения станут твердотельные накопители Samsung объёмом в 250 ГБ...

Western Digital Ultrastar DC SN640/SN340: NVMe SSD E1.L, U.2 и M.2 для дата-центров

>>> Опубликовано - 2019/08/06 - Комментариев 0 - Просмотров 2

Метки: Western Digital   SSD  

Western Digital Ultrastar DC SN640/SN340: NVMe SSD E1.L, U.2 и M.2 для дата-центров Компания Western Digital анонсировала твердотельные накопители Ultrastar DC SN640 и Ultrastar DC SN340, рассчитанные на применение в центрах обработки данных. Представленные изделия относятся к быстрым решениям NVMe SSD. Используются 96-слойные чипы флеш-памяти BiCS4 TLC 3D NAND и интерфейс PCI Express 3.0 x4. Устройства Ultrastar DC SN640 рассчитаны на платформы со смешанными нагрузками...

ADATA HD770G: защищённый внешний накопитель с подсветкой

>>> Опубликовано - 2019/08/05 - Комментариев 0 - Просмотров 5

Метки: ADATA  

ADATA HD770G: защищённый внешний накопитель с подсветкой Компания ADATA анонсировала портативный жёсткий диск HD770G, имеющий ряд любопытных особенностей: новинка будет доступна в модификациях вместимостью 1 Тбайт и 2 Тбайт. Устройство заключено в корпус повышенной прочности. Утверждается, что ему не страшны падения с высоты до 1,22 метра. Кроме того, накопитель не боится пыли и влаги: в частности, он может в течение двух часов находиться под водой на глубине до двух метров без ущерба функциональности...

Toshiba представила NVMe-накопители RD500 и RC500 с TLC-памятью

>>> Опубликовано - 2019/08/01 - Комментариев 0 - Просмотров 4

Метки: Toshiba   SSD  

Toshiba представила NVMe-накопители RD500 и RC500 с TLC-памятью Корпорация Toshiba анонсировала выход линеек твердотельных накопителей RD500 и RC500, нацеленных на использование в игровых ПК. Новинки выполнены в форм-факторе M.2 2280 и построены на базе 96-слойных микросхем памяти BiCS4 TLC. В роли интерфейса передачи информации выступают четыре линии PCI Express 3.0. В семейство Toshiba RD500 вошли устройства ёмкостью 500 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ...

PNY выпустила накопители XLR8 CS2311 с интерфейсом SATA 6 Гбит/с

>>> Опубликовано - 2019/07/29 - Комментариев 0 - Просмотров 5

Метки: PNY   SSD  

PNY выпустила накопители XLR8 CS2311 с интерфейсом SATA 6 Гбит/с Компания PNY Technologies сообщила о начале продаж доступных твердотельных накопителей XLR8 CS2311, выполненных в форм-факторе 2,5 дюйма с интерфейсом SATA 6 Гбит/с. В основе устройств лежит многослойная флэш-память 3D NAND TLC. Между этим компания не упомянула тип используемого контроллера. Накопители PNY XLR8 CS2311 предлагает максимальную скорость последовательного чтения/записи в 560/530 Мбайт/с...

Грядущие SSD-контроллеры Phison смогут использовать буфер на памяти MRAM

>>> Опубликовано - 2019/07/26 - Комментариев 0 - Просмотров 4

Метки: Phison   SSD   MRAM  

Грядущие SSD-контроллеры Phison смогут использовать буфер на памяти MRAM Корпорация Phison Electronics сообщила о планах наделить свои SSD-контроллеры поддержкой буфера на базе магниторезистивной памяти STT-MRAM (spin-transfer torque magnetoresistive random access memory). Благодаря этому чипмейкер хочет повысить надёжность и производительность систем, где сохранность данных имеет решающее значение. Оперировать буфером на магниторезистивной памяти сможет грядущее поколение контроллеров Phison корпоративного уровня...