Накопители

Компания ADATA Technology анонсировала портативный твердотельный (SSD) накопитель IESU317, использующий для подключения к компьютеру интерфейс USB 3.2. Новинка заключена в металлический корпус, подвергнутый пескоструйной обработке. Устройство обладает повышенной прочностью, оно устойчиво к появлению царапин и отпечатков пальцев. В составе накопителя применены микрочипы флеш-памяти MLC NAND (два бита информации в одной ячейке)...

Южнокорейский чипмейкер SK Hynix пополнил ассортимент SSD потребительского класса линейкой 2,5-дюймовых устройств Gold S31. Накопители оборудованы интерфейсом SATA 6 Гбит/с и будут предложены в версиях объёмом 250 ГБ, 500 ГБ и 1 ТБ. В основе новинок лежат микросхемы памяти 3D NAND (предположительно TLC) и безымянный контроллер собственной разработки SK Hynix...

Идея создания накопителей данных с прямым  Ethernet-подключением появилась несколько лет назад. И в этом году, в рамках мероприятия Flash Memory Summit 2019, компании Toshiba и Marvell показали рабочий образец твердотельного накопителя с поддержкой подключения NVMe-oF (NVMe over Fabric). Представленный накопитель построен на 96-слойных микросхемах памяти 3D NAND компании Toshiba (BiSC NAND), а в его основе лежит новый чип Marvell 88SS5000, разработанный специально для таких устройств...

С падением цен на твердотельные накопители ПК-энтузиасты всё чаще обращают внимание на устройства объёмом в несколько терабайт. Эта тенденция подтолкнула компанию Adata Technology к расширению ассортимента NVMe SSD серии XPG SX8200 Pro за счёт модели вместимостью 2 ТБ. Подобно доступным в продаже устройствам, NVMe-накопитель Adata XPG SX8200 Pro 2TB использует комбинацию контроллера Silicon Motion SM2262EN и микросхем флэш-памяти 3D NAND TLC производства IM Flash Technologies (дочернее предприятие Micron)...

По случаю дебюта серверных процессоров AMD EPYC 2-го поколения компания Samsung Electronics представила линейку твердотельных накопителей PM1733, оборудованных интерфейсом PCI Express 4.0. Устройства будут доступны как в 2,5-дюймовом форм-факторе с разъёмом U.2 так и в виде низкопрофильных карт расширения. В первом случае максимальная ёмкость составит 30,72 ТБ, во втором — 15,36 Тбайт...

Корпорация Samsung Electronics отчиталась об успешном запуске в производство 136-слойных микросхем флэш-памяти TLC 3D V-NAND шестого поколения. Говорится о массовом производстве 256-гигабитных (32 ГБ) чипов. Также до конца этого года с конвейера начнут сходить чипы объёмом 512 Гбит (64 Гбайт). К слову, первыми потребительскими устройствами на базе флэш-памяти шестого поколения станут твердотельные накопители Samsung объёмом в 250 ГБ...