Samsung анонсировала NVMe-накопители 980 Pro с интерфейсом PCI-E 4.0
>>> Опубликовано - 2020/01/08 - Комментариев 0 - Просмотров 5
Samsung Electronics готовится выйти на рынок потребительских NVMe-накопителей с интерфейсом PCI Express 4.0. На выставку CES 2020 южнокорейский гигант привёз образец терабайтного SSD серии 980 Pro, рыночный дебют которого состоится до конца зимы. Устройства этой линейки выполнены в форм-факторе M.2, задействуют четыре линии PCI-E 4.0 и будут предложены в модификациях объёмом 250 ГБ, 500 ГБ и 1 ТБ...
Анонсированным в сентябре NVMe-накопителям Intel SSD 665p был присвоен статус серийного продукта. В основе новинок лежат 96-слойные микросхемы памяти 3D NAND с четырьмя битами на ячейку (QLC) и контроллер Silicon Motion SM2263 с небольшим буфером DRAM, знакомый по их предшественникам.
Intel SSD 665p выполнены в форм-факторе M.2 2280 и задействуют четыре линии интерфейса PCI Express 3... 
Тайваньская компания Biostar продолжает развивать ассортимент твердотельных накопителей. В ближайшее время она планирует начать поставки NVMe SSD M700 вместимостью 256 и 512 Гбайт. Новинки выполнены в форм-факторе M.2 2280, используют четыре линии интерфейса PCI Express 3.0 и относятся к решениям начального уровня.
В основе NVMe-накопителей Biostar M700 лежит контроллер Silicon Motion SM2263XT без DRAM-буфера и микросхемы памяти 3D NAND TLC... 
Корпорация Western Digital, известная в первую очередь как производитель жёстких дисков, анонсировала выход линейки твердотельных накопителей WD Red SA500. Устройства этой серии будут предложены в форм-факторе 2,5 дюйма и M.2, оборудованы интерфейсом SATA 6 Гбит/с и рассчитаны на использование в сетевых хранилищах.
Накопители WD Red SA500 выпускаются в версиях объёмом 500 ГБ, 1 ТБ, 2 ТБ и 4 ТБ (только 2,5-дюймовая модель)... 
Micron Technology сообщила о старте пробного выпуска перспективной 128-слойной флэш-памяти 3D NAND четвертого поколения. Более обширное производство и внедрение устройств на её основе начнется в следующем году.
В настоящее время основной продукцией Micron в этом направлении является 96-слойная память 3D NAND. Представители компании отмечают, что несмотря на ряд преимуществ, четвертое поколение флэш-памяти скорее дополнит, а не полностью заменит 96-слойную 3D NAND на конвейерах... 
В прошлом году Toshiba Memory представила флэш-память нового поколения под названием XL-Flash. Она основана на технологии SLC (Single-Level-Cell) и за счет некоторых архитектурных улучшений способна предложить куда лучшую производительность, нежели текущие реализации NAND SLC. Например, говорится о задержках чтения в 5 мкс, росте количества операций ввода-вывода в секунду (IOPS) и улучшении производительности на низкой глубине очереди... 
