Samsung готовит SSD с 176-слойной флэш-памятью V-NAND и интерфейсами PCIe 4.0 и 5.0
>>> Опубликовано - 2021/06/09 - Комментариев 0 - Просмотров 6
Компания Samsung в 2013 году первой приступила к выпуску памяти 3D NAND под названием V-NAND, опередив своих конкурентов. Компания начала с 24-слойных чипов и постепенно наращивала количество слоёв. Сейчас Samsung подготовила к выпуску 176-слойные чипы V-NAND, а в перспективе говорит о возможности появления многослойных чипов с более чем 1000 слоёв...
Южнокорейский чипмейкер SK Hynix выпустил первые в отрасли 176-слойные микросхемы памяти 3D NAND с тремя битами на ячейку (TLC). Образцы 512-гигабитных кристаллов уже направлены производителям SSD-контроллеров для тестирования и разработки конечных продуктов.
В основе 176-слойных чипов памяти 3D NAND TLC лежит технология 4D NAND, подразумевающая перенос логических цепей управления под сам трёхмерный массив ячеек... 
Во время проведения мероприятия Flash Memory Summit компания Micron анонсировала выпуск памяти 3D NAND пятого поколения с рекордным количеством слоёв – 176. Ранее компания предлагала 128-слойные чипы флэш-памяти 3D NAND, которые были слабо представлены на рынке.
Пока что Micron не спешит делиться подробными сведениями о 176-слойной флэш-памяти 3D NAND... 
Корпорация Intel продолжает избавляться от менее прибыльных направлений бизнеса. В прошлом году она договорилась с Apple о продаже модемного подразделения за $1 млрд, а сегодня стало известно о подписании договора с компанией SK Hynix, в рамках которого южнокорейскому чипмейкеру отойдёт бизнес Intel, связанный с производством флэш-памяти NAND... 
Hewlett-Packard анонсировала линейку твердотельных накопителей EX900 Pro в форм-факторе M2 2280. Они используют четыре линии интерфейса PCI Express 3.0 с версией протокола NVM Express 1.3. Устройства будут доступны в объемах от 256 ГБ до 1 ТБ.
Что интересно, в маркетинговых материалах EX900 Pro отдельный акцент сделан на так называемой независимой кэш-памяти, которая призвана повысить производительность и увеличить срок службы накопителей... 
Intel сообщила о планах развития подразделения Non-volatile Memory Solutions Group, занимающегося разработками в области энергонезависимой памяти 3D NAND и 3D XPoint. Напомним, ранее эти специалисты входили в состав совместного с Micron предприятия IMFlash Technologies, впоследствии расформированного на две отдельные группы каждой из компаний.
Руководитель Intel NMSG Роб Крук рассказал, что к концу года будет отлажено производство 144-слойной флэш-памяти с возможностью конфигурации ячеек от SLC (1 бит) до QLC (4 бита)... 
