Метка: micron

Во время проведения мероприятия Flash Memory Summit компания Micron анонсировала выпуск памяти 3D NAND пятого поколения с рекордным количеством слоёв – 176. Ранее компания предлагала 128-слойные чипы флэш-памяти 3D NAND, которые были слабо представлены на рынке. Пока что Micron не спешит делиться подробными сведениями о 176-слойной флэш-памяти 3D NAND...

Micron Technology на днях анонсировала следующее поколение памяти HBM под названием HBMnext. К сожалению, анонс пока сугубо номинальный. HBMnext не раскрыла всех подробностей, но кое-что выделить все же можно. На сегодня многослойную память HBM (high-bandwidth memory) можно встретить преимущественно в топовых ускорителях вычислений вроде NVIDIA A100. Буквально месяц назад конкурирующая компания SK Hynix начала массовое производство высокоскоростной памяти HBM2E, обеспечивающей пропускную способность до 460 ГБ/с (3,6 Гбит/с на одну линию)...

Micron Technology представила свой первый твердотельный накопитель, созданный на базе памяти 3D XPoint — X100. Американский чипмейкер с гордостью называет новинку «самым быстрым в мире» SSD и планирует наладить поставки образцов устройства своим партнёрам до конца этого года. NVMe-накопитель Micron X100 выполнен в формате полноразмерной карты расширения и оборудован интерфейсом PCI Express 3...

Micron Technology сообщила о старте пробного выпуска перспективной 128-слойной флэш-памяти 3D NAND четвертого поколения. Более обширное производство и внедрение устройств на её основе начнется в следующем году. В настоящее время основной продукцией Micron в этом направлении является 96-слойная память 3D NAND. Представители компании отмечают, что несмотря на ряд преимуществ, четвертое поколение флэш-памяти скорее дополнит, а не полностью заменит 96-слойную 3D NAND на конвейерах...

Компания Micron сообщила о старте массового производства микросхем памяти DDR4 объёмом 16 Гбит с использованием третьего поколения техпроцесса класса 10 нм (1z). Предполагается, что это может быть техпроцесс с технологическими нормами 13 нм. В самой Micron эти данные не уточняют. Производством памяти DDR4 с использованием третьего поколения техпроцесса класса 10 нм может также похвастаться компания Samsung, но она пока освоила выпуск 8 Гбит чипов DDR4...

Не секрет, что падение цен на оперативную и флэш-память отрицательно сказывается на выручке производителей, имевших рекордные доходы на протяжении последних двух лет. В начале весны Micron Technology сообщила о планах к концу года сократить выпуск DRAM и NAND на 5%, что должно было помочь остановить падение цен. Чипмейкер посчитал, что этого будет недостаточно, и на последней встрече с инвесторами было объявлено о 10% сокращении производства энергонезависимой памяти по итогам 2019-го...