AOS анонсує транзистори aSiC для потужних конструкцій штучного інтелекту
Компанія Alpha and Omega Semiconductor (AOS) виводить на ринок нову серію потужних MOSFET-транзисторів на основі карбіду кремнію (SiC), здатних витримувати напругу до 1200 В. Ці пристрої розроблені спеціально для задоволення потреб енергоємних сфер: від центрів обробки даних із ШІ до електромобілів та систем відновлюваної енергії.
Третє покоління транзисторів від AOS
Технологія третього покоління aSiC від AOS демонструє значний прорив у сфері силової електроніки. Нові MOSFET забезпечують до 30% кращий комутаційний коефіцієнт добротності у порівнянні з попереднім поколінням.
Маючи широкий робочий діапазон напруги затвора, повну відповідність стандарту AEC-Q101 та здатність до роботи в умовах HV-H3TRB, ці пристрої ідеально підходять для використання в промислових приводах, сонячних інверторах, зарядних станціях EV та джерелах живлення SMPS. В умовах зростання попиту на обчислювальні ресурси для ШІ, нові SiC MOSFET допоможуть отримати більше потужності та знизити теплові втрати.
У лінійку входять компоненти з опором увімкненого стану від 15 мОм до 40 мОм, що постачаються у корпусах TO27-4L. У майбутньому AOS розширить асортимент, представивши варіанти для поверхневого монтажу, з верхнім охолодженням та у вигляді модулів.
Особливої уваги заслуговують транзистори серії Q, розроблені для електромобілів. Вони дозволяють проектувати ефективніші тягові інвертори з меншими втратами, що сприяє економії заряду акумулятора та збільшенню запасу ходу.
